1．这里介绍的几种高频小功率硅三极管主要用于各种无线电电子设备中作高频放大和振荡。
2.表中所列各管的参数指标，是分别按照对各该型号具有代表性的生产厂的指标给出的。在选用时应注意各厂家的型号分档（即分为A、B、C等档）不同，所以同型号不同厂家出品的管子，其参数略有出入。
3．在同一型号中，有单晶或外延片两种不同材料制成的管子。一般说，单晶制成的平面型管较外延片制成的外延平面型管的饱和压降V\(_{CES}\)大，特性也差，但价格较便宜。表中除3DG4一种为平面型外，其余几种均为外延平面型。
4．表中所列各种型号晶体管的参数，与表中所附类似型号各管的参数相近，在要求不高的情况下，可以相互代用。
5．各厂对直流放大系数h\(_{FE}\)的分档色标也有出入。一般表示法为：10～35（黄）；30～60（红）；50～110（绿）；90～160（蓝）；大于150（白）。
6．表中参数是在一定测试条件下给出的。为保证管子正常使用，P\(_{CM}\)、ICM应小于规定值，特别是不应同时达到极限值。对工作电压最好不要超过击穿电压值的1/2。
7．将管子接入电路应用时，特别要注意NPN型管子的电源接法与PNP型管子完全相反，否则即损坏。
8．允许在离晶体管管壳5毫米以上的引出线上用功率为45瓦的烙铁焊接，焊时用镊子或尖嘴钳夹住管腿根部，焊接时间不得超过10秒钟。
9．表中所列电参数，均以25℃为测试温度条件。
10．表中所列参数的符号说明如下：
P\(_{CM}\)——集电极最大允许耗散功率；
I\(_{CM}\)——集电极最大允许电流；
I\(_{CBO}\)——发射极开路，集电极—基极反向截止电流；
I\(_{CEO}\)——基极开路，集电极—发射极反向截止电流；
I\(_{EBO}\)——集电极开路，发射极—基极反向截止电流；
V\(_{BES}\)——基极—发射极饱和压降；
V\(_{CES}\)——集电极—发射极饱和压降；
h\(_{FE}\)——共发射极直流电流放大系数；
BV\(_{CEO}\)——发射极开路，集电极—基极反向击穿电压；
BV\(_{CEO}\)——基极开路，集电极—发射极反向击穿电压；
BV\(_{EBO}\)——集电极开路，发射极—基极反向击穿电压；
f\(_{T}\)——特征频率（即共发射极交流电流放大系数β=1时的频率）；
C\(_{ob}\)——共基极输出电容（当IE=0，集电结扩散电容C\(_{D}\)=0时，Cob≈C\(_{c}\)）；
K\(_{p}\)——功率增益；
r\(_{b}\)b＇——基极电阻。
11．B－1型管壳有三根引线和四根引线两种。普通放大管均为三根引线；而低噪声管则一般均为四根引线，其多加的一根引线D为屏蔽引线（接外壳），但也有三根引线的低噪声管产品，其引线内部联接与四引线的相同。（王长福编）