这种晶体管又名MOS晶体管，结构如图所示。它是利用场效应原理进行工作的。简单工作原理如下：当不加栅压时，即使“源”与“漏”之间加上电压，电流也很难通过。如果在栅极上加一个正电压，在P型半导体表面上就会感应出一层N型电荷层，成为“源”与“漏”之间的通道（叫做N型沟道），因此就有电流从“源”流至“漏”。电流的大小是受沟道的大小，也就是受栅压的大小控制的。
由于这种晶体管的金属栅极是制作在绝缘性能非常良好的二氧化硅上，因此输入阻抗非常高，可达到10\(^{15}\)欧。它的结构很适合在集成电路中采用，目前已广泛应用在集成化的高速开关电路中。