本刊1966年第2期封三介绍了一些常用国产半导体三极管的新旧型号对照、用途和电极位置。本期封三介绍其中部分中、高频三极管的参数。表中所用符号的意义如下。
BV\(_{CBO}\)：发射极开路，集电极——基极反向击穿电压
BV\(_{EEC}\)：集电极开路，发射极——基极反向击穿电压
BV\(_{CFR}\)：基极——发射极联接规定电阻，集电极——发射极反向击穿电压
BV\(_{CES}\)：基极——发射极短路，集电极——发射极反向击穿电压
I\(_{CM}\)：集电极最大允许电流
I\(_{EM}\):发射极最大允许电流
P\(_{CM}\)：额定耗散功率
I\(_{CBO}\)：发射极开路，集电极——基极反向截止电流
f\(_{ab}\)：共基极截止频率
f\(_{T}\)：共发射极短路电流放大系数频宽乘积（特征频率）
β：共发射极小信号短路正向电流传输比
C\(_{ob}\)：共基极输出电容
I\(_{CBO}\):发射极开路，集电极——基极反向截止电流
I\(_{EBO}\)：集电极开路，发射极——基极反向截止电流
R\(_{BE}\)：基极——发射极间联接电阻
I\(_{CER}\)：基极——发射极间联接规定电阻，集电极——发射极反向截止电流
I\(_{CES}\): 基极——发射极短路，集电极——发射极反向截止电流
V\(_{CBO}\)：发射极开路，集电极——基极间直流电压
V\(_{CB}\)：集电极——基极直流电压
I\(_{E}\)：发射极直流电流
V\(_{CE}\)：集电极——发射极直流电流