这里介绍一种工作原理不同于一般晶体管的新型半导体器件，称为“场效应三极管”。它的构造如图1所示，在一块n型硅条两端接上两个电极，一为“阳极”，一为“阴极”。在条的中部两侧或周围加入p型杂质（如铟等），形成“栅极”。栅极接与阴极相联的负电压，对栅极和硅条形成的p—n结说，是反向电压。因此在栅极附近形成一个空间电荷的区域（如虚线表示），它的电场将阻止电子向这区域运动。由于栅极是在硅条两侧或周围，因而形成可让一部分电子通过的“隧道”。增减反向电压，可使空间电荷形成的“隧道”增大或缩小（即电场的变化），因而可控制由阴极向阳极的电子流（图中箭头表电流方向）。若在栅阴间加入交流信号电压，即在阳极电路负载上也出现交流电压作用与三极管类似。
由于栅极—阴极回路是一个反偏二极管，所以输入阻抗可以非常高。这就意味着在栅极回路中以少量的功率，就能控制阳极回路中很大的功率。场效应晶体管，输入阻抗一般可达100兆欧，噪声比普通晶体管小得多，需要的电压与一般晶体管相同。场效应晶体管可作低电平限制器、开关、调谐高频放大器用，也可代替其他低功率晶体管或电子管的作用。图2为实用的作放大器的举例。（泽仁根据国外资料编写）