新型半导体

目前一般半导体的截止频率是1—10兆周，最近发明的其他半导体的截止频率在100－200兆周之间。但美国贝尔电话研究所宣布一种完全新型的半导体，这种半导体技术上叫做“基础散布”半导体，它的截止频率可以到500—600兆周。

这种新的半导体适用于特高频，在20兆周宽的频带上试用时电流增大100倍。

制造这种半导体的原理是改善其显微化学层的控制作用。它的中心是5千万分之1英寸厚的基础层，基础层越窄，越可用于更高的频率。

这种半导体的材料是锗和硅。