QDR:内存的未来之星

Author: Date: 2000年 第22期

#1  RAM的发展
  PC内存的发展经过了漫长的发展阶段,但不论使用什么类型的RAM(随机存储器)作内存,总的趋势就是向更快、更多、更便宜的方向发展。最初的PC内存用的是普通DRAM,就是动态随机存取存储器。DRAM需要每隔一定时间刷新一次内存中的内容,以免丢失数据,它的优点是比SRAM(静态随机存储器,只要不断电就不必重新写入)需要的晶体管数少得多,虽然速度要慢不少,但是性价比较高。486时代开始使用FP(快速页面)DRAM,速度有了明显提高,存取周期达到60ns左右;486和奔腾交替的时候又出现了更快速的EDO(扩展数据输出)DRAM,大大降低了等待时间,速度达到了50ns以下。奔腾时代的后期出现了速度可以媲美SRAM的同步动态内存——SDRAM,存储周期缩减到10ns左右。
  此后SDRAM一直是PC内存的主流,从PC66标准(简单说,就是能在66MHz下工作的内存规范,当然还有其他具体的要求)逐步提高到PC100及现在的PC133标准,其间也出现过很多更高速的DRAM结构。例如Micron公司不成功的SLDRAM、MoSys公司表现一般的MDRAM(短时等待型内存)、Enhanced存储器公司的时钟频率较高的ESDRAM(增强型SDRAM)、NEC公司“叫好不叫座”的VC-SDRAM(虚拟通道内存)内存等。现在看起来,能够成为标准SDRAM“继承人”的只有以下几种:Intel全力倡导的RDRAM(Rambus DRAM),能达到几乎与CPU同步的时钟频率,缺点是价格昂贵;威盛等公司大力倡导,现在已经在高端显示卡上率先采用的DDR SDRAM,它能够以双倍于现有SDRAM的速度工作,而且成本增加不太大;还有首先将用在显示卡上,由富士通公司开发的FCDRAM,其速度同DDR SDRAM类似,芯片面积只比SDRAM大5%。
  此外,还有一个未来之星,堪称目前最快速的RAM体系——QDR SRAM。它采用高速SRAM结构作为基础,达到了4倍于普通SRAM的速度,最高性能产品的速度相当于1GHz的普通内存。
#1  QDR的结构和特点
  解释QDR SRAM必须先从DDR SDRAM讲起。通常的SDRAM就是SDR(Single Data Rate,单倍数据传输率)SDRAM,每周期只在时钟的上升沿时传递数据,并且读、写数据是通过同一条数据总线进行,读写不能同时进行,转换读写状态时需要一个周期的等待;DDR(Double Data Rate,双倍数据传输率)SDRAM是在SDRAM基础上经过改进,每个周期在时钟的上升沿和下降沿各传递一次数据,这样等于数据传输效率翻了一番,但是读写仍不能同时进行,转换时需要半个周期的等待;QDR(Quad Data Rate,四倍数据传输率)SRAM,进一步改进了结构,为读、写操作分别提供独立的接口,不但每个周期在时钟的上升沿和下降沿共传递两次数据,而且每次能够读写同时进行、避免了数据总线的争抢,也可以简单的理解为具有一进、一出两个DDR的数据接口,达到了数据传输效率相对于SDRAM翻两番的效果。
  DDR的工作频率暂时为166MHz,很快将提高到200MHz,相当于333 MHz和400 MHz的SDR;QDR的工作频率目前为167MHz,250MHz(甚至333 MHz)的产品正在开发中,理想情况下相当于667 MHz和1GHz(甚至1.33GHz)的SDR,这确实是前所未有的内存速度。
  同以往的各种SRAM相比,QDR SRAM具有明显的优势:PBSRAM是作为CPU的2级缓存(L2 Cache)开发的,适合进行大量连续数据的读写,但读写不能同时进行,而且转换读、写功能时需要空闲半个周期;ZBT SRAM和NoBL SRAM是为高速通讯系统开发的,消除了读、写功能转换时的空闲周期,大大提高了数据总线的利用率;QDR SRAM也是为高速通讯系统设计的,由于读写同时进行不须转换,读和写还都是双倍速的,既把数据总线利用率提到了最高,又加快了数据传输速度,是以往各种SRAM所不能相比的。
#1  QDR的未来
  QDR SRAM是由三家内存大厂合作制定规范、设计开发、独立生产出来的。这3家公司是:在USB和时钟芯片市场占据首位Cypress半导体;曾生产过WinChip廉价CPU 的IDT(集成器件技术)公司;生产和制造内存的大厂Micron及其子公司。这三家公司的实力毋庸置疑,三家公司合作推进QDR SRAM作为未来的高速SRAM标准,既保证了器件的兼容性,又通过相互之间的竞争为顾客的选择提供了足够的余地。
  开发QDR SRAM的目的是为提高SRAM的速度,主要的市场目标是使用SRAM较多的通信系统,例如交换机和路由器等。这些应用需要高速内存来存取查询表、链接清单和控制器缓冲区等。现有的QDR SRAM是9Mbit(兆位)的产品,包括Cypress、IDT和Micron的各两款不同配置的芯片,工作在167MHz。今后QDR SRAM容量将逐步发展到64Mbit和128 Mbit,工作频率将逐步提高到250MHz甚至333 MHz。
  QDR SRAM的优点就是速度快,但缺点也很明显,当然是成本高,这限制了QDR SRAM的应用范围。除了通信系统之外,QDR SRAM还能被广泛地应用在只求高速、不计成本的其他领域。双端口的QDR SRAM显然可以用作超级计算机和图形工作站的显示内存甚至主内存,但用作PC的显示内存和主内存就太昂贵了。在PC中,SRAM一向是用来作为缓存(Cache)使用的,既利用了SRAM的高速,又因为缓存的容量有限而保持了合理的价格:现在新一代CPU的内部一般都集成了缓存,但QDR SRAM还有可能用在服务器版的CPU中作为高速大容量缓存;显示内存的带宽是主流PC系统的明显瓶颈之一,而显示芯片上集成的缓存一般都少得可怜,如能采用SRAM、特别是QDR SRAM作为显示缓存定能大大提高显示体系的整体性能。诸如此类的应用可能性还有许多,关键就要看未来的这一年中,Cypress、IDT和Micron的推广能力和市场对于QDR SRAM的接受程度如何。
  不论怎样,QDR SRAM为我们指明了内存的发展方向:除了不断提高工作频率外,还有一个关键是多倍速的数据传输率。今年底或明年初,当DDR SDRAM(或者RDRAM)成为PC的主流内存之后,很可能QDR结构的SDRAM甚至SRAM将成为新一代内存标准的有力竞争者。(DDR SRAM的工作原理如^22030101a^)