内存芯片的主要的参数

Author: Date: 2000年第13期

　　1.CAS （Column Address Strobe，列地址选通信号），准确的说应该是CL（CAS Latency，纵列存取延迟时间），它用时钟周期数表示。在某一固定外频下，其数值越小越好，一般为2个时钟周期。另外还有RAS（Row Address Strobe，行地址选通信号），它和CAS一起确定其它设备在内存中的访问地址。
　　2.tAC数据存取时间。一般是6ns或6.5ns，其值越小越好。
　　3.tRCDRAS相对于CAS的延时。以时钟周期数表示，一般为2。
　　4.tRPRAS预充电时间。以时钟周期数表示，一般为2。
　　5.tCLK时钟周期。PC100不大于10ns，PC133不大于7.5ns。tCLK决定内存芯片的额定最高工作频率。额定最高工作频率=1000/tCLK，如：tCLK=10ns，则额定最高工作频率=100MHz。
　　6.Burst Cycle Time突发周期时间。不大于8ns。
　　7.SPD（Serial Presence Detect）是一颗焊于电路板上的8针、256字节的EEPROM芯片，面积4mm×3mm，型号多为24LC01B。其内部记录着内存的速度、容量、行/列地址、电压等基本参数。如果主板支持SPD，开机时BIOS将读取SPD内的信息，保证系统的稳定。SPD是识别PC100及PC133内存的一个重要标志。
　　按以上参数，最差的PC100内存芯片应该是tAC=6ns，tCLK=10ns，tRCD=20ns，tRP=20ns，突发周期=8ns。由于Intel公司及威盛电子都没有定义标记PC100及PC133内存的方法，所以各芯片厂商用自己的方法标记内存芯片。而一些厂商将突发周期数印在芯片上，甚至是将tAC值印在芯片上，又不加特殊说明，造成市场上出现了众多的“8ns”、“6ns”内存条，使JS有机可乘，也导致DIYer们被误导。