内存新技术透视
在具体说明各种内存类型之前，以下罗列了一些有关的名词，希望读者对内存种类的多样性有一些感性的认识。
#2 ＲＯＭ
只读存储器
#2 ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）
随机存储器
#2 ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ ＲＡＭ）
动态随机存储器
#2 ＰＭ ＲＡＭ（Ｐａｇｅ ＭｏｄｅＲＡＭ）
动态随机存储器
#2 ＦＰＭ ＲＡＭ（Ｆａｓｔ Ｐａｇｅ Ｍｏｄｅ ＲＡＭ）
快速页模式随机存储器
#2 ＥＤＯ ＲＡＭ（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ｄａｔａ Ｏｕｔｐｕｔ ＲＡＭ）
扩充数据输出随机存储器
#2 ＢＥＤＯ ＲＡＭ（Ｂｕｒｓｔ Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ｄａｔａ Ｏｕｔｐｕｔ ＲＡＭ）
突发扩充数据输出随机存储器
#2 ＳＤＲＡＭ（Ｓｙ０ｎｃｈｒｏｎｏｕｓ ＤＲＡＭ）
同步静态随机存储器
#2 ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ ＲＡＭ）
静态随机存储器
#2 Ａｓｙｎｃ ＳＲＡＭ（Ａｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ Ｓｔａｔｉｃ ＲＡＭ）
异步动态随机存储器
#2 Ｓｙｎｃ Ｂｕｒｓｔ ＳＲＡＭ（Ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ Ｂｕｒｓｔ Ｓｔａｔｉｃ ＲＡＭ）
同步突发静态随机存储器
#2 ＰＢ ＳＲＡＭ（Ｐｉｐｅｌｉｎｅｄ Ｂｕｒｓｔ ＳＲＡＭ）
管道（流水线）突发静态随机存储器
#2 Ｃａｃｈｅ
高速缓存
#2 Ｌ２ Ｃａｃｈｅ（Ｌｅｖｅｌ ２ Ｃａｃｈｅ）
二级高速缓存（通常由ＳＲＡＭ组成）
#2 ＶＲＡＭ（Ｖｉｄｅｏ ＲＡＭ）
视频随机存储器
#2 ＣＶＲＡＭ（Ｃａｃｈｅｄ Ｖｅｄｉｏ ＲＡＭ）
缓存型视频随机存储器
#2 ＳＶＲＡＭ（Ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ ＶＲＡＭ）
同步视频随机存储器
#2 ＣＤＲＡＭ（Ｃａｃｈｅｄ ＤＲＡＭ）
缓存型动态随机存储器
#2 ＥＤＲＡＭ（Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＤＲＡＭ）
增强型动态随机存储器
#2 ＤＲＡＭ（ＤＹＮＡＭＩＣ ＲＡＭ）
动态随机存储器
动态随机存储器（ＤＲＡＭ）主要用作主存储器。长期以来，我们所用的动态随机存储器都是页模式随机存储器（ＰＭ ＲＡＭ），稍晚些的为快速页模式随机存储器（ＦＰＭ ＲＡＭ）。为了跟上ＣＰＵ越来越快的速度，一些新类型的主存储器被研制出来。它们是ＥＤＯ ＲＡＭ（扩充数据输出随机存储器）、ＢＥＤＯ ＲＡＭ（突发扩充数据输出随机存储器）、ＳＤＲＡＭ（同步动态随机存储器）等，值得一提的是ＩＢＭ公司正在研制一种性能更优越的下一代Ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ ＤＲＡＭ（同步动态随机存储器）。
#2 内存的基本工作方式
ＤＲＡＭ芯片设计得象一个二进制位的矩阵，每一个位有一个行地址一个列地址。内存控制器要给出芯片地址才能从芯片中读出指定位的数据。一个标明为７０ｎｓ（纳秒）的芯片要用７０ｎｓ读出一个位的数据。并且还要额外的时间从ＣＰＵ得到地址信息设置下一条指令。一个完整的内存存储周期，是从内存控制器传一个地址信息给内存芯片开始，到它再传送下一个地址信息给内存芯片为止，一般用时８５－１２５ｎｓ不等，芯片制作技术的不断进步使这种处理效率越来越高。如果一个数据与前一个数据的行地址相同，内存控制器不必再传一个行地址指令，只要给一个列地址就可以了。这样存取同一“页”数据的速度与效率就大大提高了。
#2 ＦＰＭ ＲＡＭ（ＦＡＳＴ ＰＡＧＥ ＭＯＤＥ ＲＡＭ）
快速页模式随机存储器
（所谓“页”，指的是ＤＲＡＭ芯片上存储阵列上的２０４８位片断）
这是最早的随机存储器，在过去一直是主流ＰＣ的标准配置，以前我们在谈论内存速度时所说的“杠７”，“杠６”，指的即是其存取时间为７０纳秒，６０纳秒。６０纳秒的ＦＰＭ ＲＡＭ可用于总线速度为６６ＭＨＺ（兆赫兹）的奔腾系统（ＣＰＵ主频为１００，１３３，１６６和２００ＭＨＺ）。
ＦＰＭ ＲＡＭ读是这样开始的：
在ＤＲＡＭ阵列中，首先提供一个行地址，并置ＲＡＳ（行存取信号，行寻址选道信号）为低电平，之后通过周期性的ＣＡＳ（列存取信号，列导址选道信号）实行多个列存取。每一个ＣＡＳ周期都提供一个列地址，并置ＣＡＳ为低电平，等待合法的数据输出。之后系统锁住数据。再置ＣＡＳ为高电平，并按照以下的顺序开始下一个周期。
注意：ＣＡＳ被置为高电平时，数据不能输出，因为当一个合法的数据被系统锁住后，才能置ＣＡＳ为高电平。
快速页模式：意味着ＲＡＭ在逻辑上希望下一个要存取的数据与上一个存取的数据一致。如果是这样，就会节约时间。
以上这种快速页模式的内存常用于视频卡，通常我们也叫它“ＤＲＡＭ”。其中一种经过特殊设计的内存的存取时间仅为４８纳秒，这时我们就叫它ＶＲＡＭ（Ｖｉｄｅｏ ＲＡＭ视频随机存储器）。这种经过特殊设计的内存具有“双口”，其中一个端口可直接被ＣＰＵ存取，而另一个端口可独立地被ＲＡＭ“直接存取通道”存取，这样存储器的“直接存取通道”不必等待ＣＰＵ完成存取就可同时工作，从而比一般的ＤＲＡＭ要快些。
#2 ＥＤＯ ＲＡＭ（ＥＸＴＥＮＤＥＤ ＤＡＴＡ ＯＵＴＰＵＴ ＲＡＭ）
扩充数据输出随机存储器
ＥＤＯ页模式的存取有些像ＦＰＭ，但有一点不同，当ＣＡＳ为高电平时，并不阻止数据的输出，此时数据锁（ｌａｔｃｈ）保护维持住合法的数据之后，ＣＡＳ又回到低电平。在页模式存取中，数据锁（ｌａｔｃｈ）由ＣＡＳ控制，在ＣＡＳ变成高电平时，在数据锁中，数据可有效地被获得，在提供一个新的地址后，内存阵列中新的数据被定位存取，此时并不影响上一次存取的数据输出。当连续存取数据时，因交错关系，ＥＤＯ ＲＡＭ能使内存控制器省去用来发出一列地址信息的１０ｎｓ的等待周期，这就能提供比ＦＰＭ ＲＡＭ更快的数据流，从而使计算机的效率提高１０％－１５％。
#2 ＢＥＤＯ ＲＡＭ（ＢＵＲＳＴ ＥＸＴＥＮＤＥＤ ＤＡＴＡ ＯＵＴＰＵＴ ＲＡＭ）
突发扩充数据输出随机存储器
ＢＥＤＯ ＲＡＭ，就像其名字一样，是在一个“突发动作”中读取数据，这就是说在提供了内存地址后，ＣＰＵ假定其后的数据地址，并自动把它们预取出来。这样，在读下三个数据中的每一个数据时，只用仅仅一个时钟周期，ＣＰＵ能够以５－１－１－１突发模式读数据，这种方式下指令的传送速度就大大提高，处理器的指令队列就能有效地填满。现今这种ＲＡＭ只被ＶＩＡ芯片组５８０ＶＰ，５９０ＶＰ，６８０ＶＰ支持。这种真正快速的ＢＥＤＯ ＲＡＭ也是有缺陷的，这就是它无法与频率高于６６ＭＨＺ的总线相匹配。
ＢＥＤＯ与ＥＤＯ在两个方面有不同点，一是数据锁（ｌａｔｃｈ）被一个寄存器替代（实际上加入了一个附加锁状态），在第一个ＣＡＳ周期后，数据并没有达到输出口，这种内在的管道（Ｐｉｐｅｌｉｎｅ，或流水线方式）的好处是，在第二个ＣＡＳ周期的边缘，数据可以用更短的时间出现。二是ＢＥＤＯ设备包含有一个内在地址计数器，在一个四数据突发读时，外部只需提供一个初始地址，即可连续处理四个数据。在ＢＥＤＯ的第一个ＣＡＳ周期接收第一个数据项时，装入内在管道并没有导致附加的延迟，这是因为制约存取第一个数据项的因素是ＲＡＳ的存取时间，而ＲＡＳ的存取动作被隐藏在第一个ＣＡＳ周期里。这样就节约了时间，加快了速度。
#2 ＳＤＲＡＭ（ＳＹＮＣＨＲＯＮＯＵＳ ＤＲＡＭ）
同步动态随机存储器
同步动态随机存储器（ＳＤＲＡＭ）可以说是最有前途的一种内部存储器，不久之后，这种ＲＡＭ会很受欢迎，支持这种内存的有Ｉｎｔｅｌ公司的Ｔｒｉｔｏｎ ＶＸ芯片组及所有新型ＶＩＡ芯片组。在Ｐｅｎｔｉｕｍｓ，６ｘ８６级机器中，有５８０ＶＰ芯片及５９０芯片支持及其以后的ＳＤＲＡＭ，在Ｐｅｎｔｉｕｍ Ｐｒｏ级别的机器中，有６８０ＶＰ芯片支持ＳＤＲＡＭ。就像这种内存的名字所表明的，这种ＲＡＭ可以使所有的输入输出信号保持与系统时钟同步。而在不久以前，这只有ＳＲＡＭ（静态随机存储器）才能办到。
ＳＤＲＡＭ与系统时钟同步，采用管道处理方式，当指定一个特定的地址，ＳＤＲＡＭ就可读出多个数据，即实现突发传送。具体来说，第一步，指定地址；第二步，把数据从存储地址传到输出电路；第三步，输出数据到外部。关键是以上三个步骤是各自独立进行的，且与ＣＰＵ同步，而以往的内存只有从头到尾执行完这三个步骤才能输出数据。这就是ＳＤＲＡＭ高速的秘诀。
ＳＤＲＡＭ的读写周期为１０至１５纳秒。
#2 ＳＲＡＭ Ｓｔａｔｕ ＲＡＭ
静态随机存储器
现在我们来讨论一下静态随机存储器。按产生时间和工作方式来分，静态随机存储器也分为异步和同步。在一定的纳米制造技术下，ＳＲＡＭ容量比其他类型内存低，这是因为ＳＲＡＭ需要用更多的晶体管存储一个位（ｂｉｔ），因而造价也贵得多，静态随机存储器多用于二级高缓存（Ｌｅｖｅｌ ２ Ｃａｃｈｅ）。
#3 Ａｓｙｎｃ ＳＲＡＭ（Ａｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ Ｓｔａｔｉｃ ＲＡＭ）
异步静态随机存储器
自从第一个带有二级高速缓存（ｃａｃｈｅ）的３８６计算机出现以来，这种老型号的属于“ｃａｃｈｅ ＲＡＭ（缓存型随机存储器）”类型的内存就开始应用了。异步静态随机存储器（Ａｓｙｎｃ ＳＲＡＭ）比ＤＲＡＭ快些，并依赖于ＣＰＵ的时钟，其存取速度有２０纳秒、１５纳秒和１２纳秒三种，值越小，表示存取数据的速度越快。但在存取数据时，它还没有快到能够与ＣＰＵ保持同步，ＣＰＵ必须等待以匹配其速度。
#3 Ｓｙｎｃ Ｂｕｒｓｔ ＳＲＡＭ（Ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ Ｂｕｒｓｔ Ｓｔａｔｉｃ ＲＡＭ）
同步突发静态随机存储器
在计算机界存在这样的争论：Ｓｙｎｃ Ｂｕｒｓｔ ＳＲＡＭ（同步突发静态随机存储器）和Ｐｉｐｅｌｉｎｅｄ Ｂｕｒｓｔ ＳＲＡＭ（管道突发静态随机存储器）谁更快些？诚然，在总线速度为６６ＭＨｚ的系统上，Ｓｙｎｃ Ｂｕｒｓｔ ＳＲＡＭ确实是最快的，因为这时ＣＰＵ的运行速度并不是很快，Ｓｙｎｃ Ｂｕｒｓｔ ＳＲＡＭ在提供数据时可以和系统保持同步。这意味着在ＣＰＵ的２—１—１—１突发读时，Ｓｙｎｃ Ｂｕｒｓｔ ＳＲＡＭ无延迟地以２—１—１—１突发周期传输数据。但当总线速度超过６６ＭＨｚ时（比如Ｃｙｒｉｘ公司的６Ｘ８６Ｐ２００＋型号），Ｓｙｎｃ Ｂｕｒｓｔ ＳＲＡＭ就超负荷了，只能以３—２—２—２突发模式传输数据，这样就大大低于Ｐｉｐｅｌｉｎｅｄ Ｂｕｒｓｔ ＳＲＡＭ的传输速度（Ｐｉｐｅｌｉｎｅｄ Ｂｕｒｓｔ ＳＲＡＭ自始自终以３—１—１—１突发模式传输数据）。因此用现行的Ｐｅｎｔｉｕｍ主板（总线速度为６６ＭＨＺ），我们应该采用Ｓｙｎｃ Ｂｕｒｓｔ ＳＲＡＭ，这样效率最高、速度最快。但目前的问题是：生产支持Ｓｙｎｃ Ｂｕｒｓｔ ＳＲＡＭ的主板供应商很少，所以能支持Ｓｙｎｃ Ｂｕｒｓｔ ＳＲＡＭ的主板的价格都很高。
在这里在说明一下，应用Ｓｙｎｃ Ｂｕｒｓｔ ＳＲＡＭ，可达到８．５纳秒到１２纳秒的“地址／数据”时间。
#3 ＰＢ ＳＲＡＭ （Ｐｉｐｅｌｉｎｅｄ Ｂｕｒｓｔ ＳＲＡＭ）
管道突发静态随机存储器
管道（Ｐｉｐｅｌｉｎｅ，或流水线，的意思是：通过使用输入输出寄存器，一个ＳＲＡＭ可以形成像“管道”那样的数据流水线传输模式。在装载填充寄存器时，虽然需要一个额外的启动周期，但寄存器一经装载，就可产生这样的作用：在用现行的地址提供数据的同时能提前存取下一地址。在总线速度为７５ＭＨｚ和高于７５ＭＨｚ时，这种内存是最快的缓存型随机存储器（Ｃａｃｈｅ ＲＡＭ）。实际上，ＰＢ ＳＲＡＭ可以匹配总线速度高达１３３ＭＨｚ的系统。同时，在较慢的系统中，ＰＢ ＳＲＡＭ也并不比Ｓｙｎｃ Ｂｕｒｓｔ ＳＲＡＭ慢多少。
应用ＰＢ ＳＲＡＭ，可达到４．５到８纳秒的“地址数据”时间。
#3 Ｌ２Ｃａｃｈｅ （Ｌｅｖｅｌ ２ Ｃａｃｈｅ）
二级高速缓存 （通常由ＳＲＡＭ组成）
现今解决ＣＰＵ与主内存之间的速度匹配的主要方法是在ＣＰＵ与ＤＲＡＭ间加上基于ＳＲＡＭ的二级高速缓存，这种内存系统可以承担８５％的内存请求，而不需ＣＰＵ增加额外的等待周期。
很长时间以来，在主板上装载２５６ＫＢ（千字节）的二级高缓存十分流行。在主板上装１０２４ＫＢ（千字节）的缓存是ＩＮＴＥＬ公司的Ｐｅｎｔｉｕｍ Ｐ５４Ｃ芯片推出以后的事。最新推出的ＶＩＡ Ｐｅｎｔｉａｍ芯片组竟能支持２０４８ＫＢ的Ｌｅｖｅｌ ２ Ｃａｃｈｅ，不过，许多人都怀疑这是否有实际意义。
在ＤＯＳ、ＷＩＮＤＯＷＳ ３．１和ＷＦＷ ３．１１（Ｗｉｎｄｏｗｓ ｆｏｒ Ｗｏｒｋｇｒｏｕｐｓ）是主要的操作系统时，确实没有必要设置高于２５６ＫＢ的Ｌ２ Ｃａｃｈｅ，这就像没有必要在系统设置高于６４ＭＢ（兆字节）的ＲＡＭ一样。但自从ＷＩＮＤＯＷＳ ９５操作系统推出以来，经测试，在系统的ＲＡＭ只有１６ＭＢ时，设置５１２ＫＢ（千字节）的缓存比２５６ＫＢ（千字节）的缓存更能大大提高系统的性能（指ｂｅｎｃｈｍａｒｋ的点数，一种测量计算机系统性能的指标）。
再者，应用多媒体软件日益普遍，而以前的系统不能缓存大多数图形和视频信息，这使得ＣＰＵ不断地与速度较慢的主内存打交道，降低了系统的性能，而增加ＣＰＵ的二级高速缓存就能解决这个问题。
目前，人们越来越倾向应用３２位的操作系统。在多任务的操作系统，增加Ｌｅｖｅｌ ２Ｃａｃｈｅ直到２ＭＢ都具有实际意义，能够增强系统性能，这是因为应用程序越来越大，并且越来越多的程序在同一时间运行，当ＣＰＵ在多任务之间切换时，如果Ｃａｃｈｅ不能足够大而装入所有被执行代码，就必须从非常慢速的主内存器获得它所需的信息，多任务操作系统就不能充分发挥其作用。因此，在应用现代的操作系统时，在系统装入５１２ＫＢ的Ｌｅｖｅｌ ２ Ｃａｃｈｅ是计算机系统发展的需要。
基于以下特点，Ｓｙｎｃ Ｂｕｒｓｔ ＳＲＡＭ比Ａｓｙｎｃ ＳＲＡＭ更适合作二级高速缓存：
１．同步于系统时钟：所有的信号都是在时钟的边缘被触发，可以简化高速系统的设计。
２．突发能力：结合一些逻辑电路进行高速操作。它允许存储器用连续的位置形成“４地址突发顺序”的自我循环，ＩＮＴＥＬ公司采用的是“插页式”的，而ＩＢＭ公司的Ｐｏｗｅｒ ＰＣ采用的“线程式”的设计，其功效是一样的。
３．管道能力：采用输入输出寄存器，使ＳＲＡＭ形成管道（或流水线方式）。装载寄存器时，虽然需要一个额外的启动周期，但寄存器一经装载，就可以产生这样的作用：在用现行的地址提供数据的同时能提前地存取下一个地址。
以上这些特点使得微处理器在存取连续内存位置时用同步ＳＲＡＭ比异步ＳＲＡＭ更快。目前，有些ＲＡＭ供应商提供的３．３Ｖ异步的ＳＲＡＭ的“时钟到数据时间”（ｃｌｏｃｋ－ｔｏ－ｄａｔａ指开始加入时钟脉冲到数据输出的时间）为１５纳秒，而采用类似技术的同步ＳＲＡＭ的“时钟到数据时间”甚至不到６纳秒。
随着总线速度的增加，性能价格比最佳点的ＳＲＡＭ技术是从异步到流同步，再到管道同步的。
但目前只有少数据供应商能提供采用流同步的ＳＲＡＭ，所以在系统性能不是非常重要时，设计者在总线速度为５０ＭＨｚ到６６ＭＨｚ时采用“管道同步”技术的内存是一种明智的选择。
有些内存设计方案把ｃａｃｈｅ、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ结合起来，如ＣＤＲＡＭ（Ｃａｃｈｅｄ ＤＲＡＭ）、ＥＤＲＡＭ（Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＤＲＡＭ）、ＣＶＲＡＭ（Ｃａｃｈｅｄ Ｖｉｄｅｏ ＲＡＭ）、ＳＶＲＡＭ（Ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ ＶＲＡＭ）、ＥＤＯ ＳＲＡＭ（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ｄａｔａ Ｏｕｔｐｕｔ ＳＲＡＭ）、ＥＤＯ ＶＲＡＭ（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ｄａｔａ Ｏｕｔｐｕｔ ＶＲＡＭ），也有些内存设计方案在存储器中增加了一些内置 式微处理器，如智能ＲＡＭ（Ｓｍａｒｔ ＲＡＭ）、３Ｄ ＲＡＭ（用于３维视频信号处理的ＲＡＭ）、ＲＤＲＡＭ（Ｒａｍｂｕｓ ＤＲＡＭ）、ＷＲＡＭ（Ｗｉｎｄｏｗｓ ＲＡＭ，一种采用双端口内存视频加速技术的内存）。内存的多样性可见一斑，不一而论。
#3 Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ ＆ Ｆｅｒｒｏ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ＲＡＭ
快闪存储器，快擦写存储器和铁电体随机存储器
快闪存储器是１９８３年推出的电可擦非易失性半导体存储器，它采用一种非挥发性存储技术，即若不对其施加大电压进行擦除，可一直保持其状态，在不加电状态下可安全保存信息长达十年；它也具有固态电子学特性，即没有可移动部件，抗震性能好；同时，它具有优越的性能，它的存取时间仅为３０纳秒。与以往的电可擦存储器ＥＥＰＲＯＭ相比，快闪存储器的最大差别是采用了块可擦除的阵列结构，这种结构不仅使其有了快的擦除速度，而且具有了像ＥＥＰＲＯＭ那样的单管结构的高密度，由此带来了低的制造成本和小的体积。快闪存储器兼有了ＲＯＭ和ＲＡＭ二者的性能及主高密度，是目前为数不多的同时具备大容量、高速度、非易失性、可在线擦写特性的存储器。
快闪存储器多用于系统的ＢＩＯＳ、Ｍｏｄｅｍ（调制解调器）和一些网络设备（Ｈｕｂ、路由器）。
铁电体随机存储器也采用非挥发性存技术，在生产中使用了铁氧体，它优越于快闪存储器的特点是其经过多次写操作后性能不退化，而快闪存储器存在退化问题。这使得铁电体随机存储器更具有广阔的前景。