SDRAM与EDO内存混用时应注意什么
答：ＳＤＲＡＭ是新一代的动态存储器，又称为同步动态存储器或同步ＤＲＡＭ。它可以与ＣＰＵ总线使用同一个时钟，而ＥＤＯ和ＦＰＭ存储器则是异步的。目前ＳＤＲＡＭ存储器的读写周期一般为５－１－１－１。相比之下，ＥＤＯ内存一般为５－２－２－２。也就是说，ＳＤＲＡＭ的读写周期比ＥＤＯ少３个，大约节省存储器读写时间２８％，但实际上由于计算机内其它设备的制约，使用ＳＤＲＡＭ的计算机大约可提高性能５～１０％。
虽然有不少主机板支持ＳＤＲＡＭ与ＥＤＯ内存混合安装方式，笔者在前面一期的专家坐堂栏目中已经谈过这个问题。但在笔者与主机板生产厂家的技术人员交谈中，他们主张最好不要混用。原因是多数ＳＤＲＡＭ只能在３．３Ｖ下工作，而ＥＤＯ内存则多数在５Ｖ下工作。虽然主机板上对ＤＩＭＭ和ＳＩＭＭ分别供电，但它们的数据线总是要连在一起的，如果ＳＩＭＭ（７２线内存）与ＤＩＭＭ（１６８线ＳＤＲＡＭ）混用，尽管开始系统可以正常工作，但可能在使用一段时间后，会造成ＳＤＲＡＭ的数据输入端被损坏。
当然，如果你的ＳＤＲＡＭ是宽电压（３Ｖ～５Ｖ）工作的产品，就不会出现这种损坏情况。目前ＴＩ和ＳＵＭＳＵＮＧ的某些ＳＤＲＡＭ产品支持宽电压工作方式，可以与ＥＤＯ内存混用。