关于Flash Memory的问答
#3 １．Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ有哪些特点？
答：Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ芯片借用了ＥＰＲＯＭ（Ｅｒａｓｉｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）结构简单，又吸收了ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ＥＰＲＯＭ）电擦除的特点；不但具备ＲＡＭ（随机存储器）的高速性，而且还兼有ＲＯＭ（只读存储器）的非挥发性。同时它还具有可以整块芯片电擦除、耗电低、集成度高、体积小、可靠性高、无需后备电池支持、可重新改写、重复使用性好（至少可反复使用１０万次以上）等优点。
#3 ２．Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ最早是谁发明的？
答：Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ技术是日本东芝公司于１９８０年申请专利，并在１９８４年的国际半导体学术会议上首先发表的。稍后，美国Ｉｎｔｅｌ公司和ＳＥＥＱ半导体公司等才积极致力于Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ商用芯片的研制与开发。如今，Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ技术的研制和生产依然被美、日两国的几大半导体制造厂商所垄断。Ｉｎｔｅｌ更是独擅胜场。
#3 ３．Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ的读取速度如何？
答：Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ的读出时间仅为７０～１６０纳秒，比普通外部存储器（如硬盘机、磁带机）快５０～２００倍。平均写入速度低于０．１秒以下。使用它不仅能有效解决外部存储器和内存之间速度上存在的瓶颈问题，而且能保证有极高的读出速度。
#3 ４．怎样看待Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ的低功耗优势？
答：Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ使用先进的ＣＭＯＳ制造工艺，最大工作电流只有２０ｍＡ，备用状态下的最大电流不过１００μＡ。而典型的ＥＰＲＯＭ，写入时高电平为７５ｍＡ，低电平为３０ｍＡ。如此之低的功耗对于笔记本型电脑来说可是重要指标之一。目前耗电量最小的硬盘也要３Ｗ左右，用４节ＡＡ电池供电时，其连续工作能力一般不超过４小时。而用Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ做“固态”盘（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｉｓｋ：也称半导体盘）时，由于其９９％的时间是处于“静态”，只有１％的时间需加电工作。因此，同样的供电情况下，它可连续工作２００小时。
#3 ５．Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ抗恶劣环境能力如何？
答：Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ的抗干扰能力很强，如广泛使用的Ｉｎｔｅｌ ＥＴＯＸ－Ⅲ系列产品，它允许电源电压的误差高达±１０％，再加上其独特的ＥＰＩ技术，可实现最高程度的死锁保护。即使在地址线和数据线上承受１００ｍＡ的涌动电流和Ｖｃｃ±１Ｖ的波动电压，它也能安然无事。在强冲击和振动环境中的工作性能优于２．５英寸硬盘机５０倍。
#3 ６．Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ用于固化主板ＢＩＯＳ程序有什么好处？
答：以往所使用的ＲＯＭ芯片，是在出厂时将ＢＩＯＳ程序一次写入，因而不能修改。如要更换ＲＯＭ芯片，又有诸多方面的限制，普通用户难以实现，这对ＢＩＯＳ程序的更新、版本升级极为不利。而利用Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ存储主板的ＢＩＯＳ程序，则使ＢＩＯＳ升级非常容易。现在的Ｐｅｎｔｉｕｍ、Ｐｅｎｔｉｕｍ Ｐｒｏ主板普遍使用Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ。
#3 ７．Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ做“固态”盘具有哪些优势？
答：固态盘，实际上是利用仿真技术，把存储器芯片当作“磁”盘（主要作硬盘）来使用。在功能上模拟硬盘，按其工作方式进行数据的存取操作。尽管以前在某些笔记本电脑中，也有固态盘使用的先例，但那是用ＳＲＡＭ来做固态盘（构成ＰＣＭＣＩＡ储存卡）。由于ＳＲＡＭ需要用电池来维持数据保存，因此多少让人有点心惊肉跳。加之它的密度不高、容量有限、价格昂贵，因而很难真正取代硬盘。而用Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ制成的固态盘（构成ＰＣＭＣＩＡ存储卡）将会在许多领域中取代硬盘。
#3 ８．Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ有什么不足？
答：目前成本价格昂贵与写入速度相对不高是制约Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ占领更大市场的重要因素，而市场竞争是要遵循性能／价格比最优的法则。从９６年起随着大容量低成本、单芯片Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ的问世，价格也许不会成为主要障碍，今后的关键也许还是在推广应用上。就现阶段而言，用Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ作固态盘（或存储卡）来普遍取代电脑中硬盘还很不现实，若不是特殊用途（如国防工业、航空航天、军事作战等）不考虑价格的话，用户对其价格实在很难接受。因此，它在大范围实用方面，尚有不小问题需要解决。