何谓EDO内存?

Author: 江西樊建忠 Date: 1996-02-02

        内存是计算机中最主要的部件之一。我们知道，微机诞生以来，它的心脏__CPU，几经更朝换代，目前已发展到了Pentium Pro(686)，较之于当初，它在速度上已有两个数量级的增长。而内存的构成器件RAM(随机存储器)__一般为DRAM(动态随机存储器)，虽然单个芯片的容量不断扩大，但存取速度并没有太大的提高。虽然人们早就采用高速但昂贵的SRAM芯片在CPU和内存之间增加一种缓冲设备__Cache，以缓冲两者之间的速度不匹配问题。但这并不能根本解决问题。于是人们把注意力集中到DRAM接口(芯片收发数据的途径)上。在一个DRAM阵列中读取一个单元时，首先充电选择一行，然后再充电选择一列，这些充电线路在稳定之前会有一定的时诞，制约了RAM的读写速度。
        EDO是Extended Data Out的缩写。有人称之为超页模式(一页意指DRAM芯片上一排存储器中的一个2048位片断)。EDO技术针对上述结构的不足，在DRAM的接口上增加了一些逻辑电路。由于在绝大多数情况下，要存取的数据在RAM中是连续的，即下一个要存取的单元位于当前单元的同一行的下一列上。EDO即利用这一预测地址，允许下一个读写周期在当前周期结束之前启动，由此可将存储器速度提高多达30%。另外，为了使充电线路上的脉冲信号有一定的保持时间，EDO还在RAM输出端增加了一组“门槛”电路，或叫二级内存单元，这些单元可将充电线上的数据保持住，直到CPU可靠地读走。
        EDO RAM技术还在不断发展中。在今天，它已走到了实用阶段。可以相信，明天它将成为内存设计的主流。