SRAM与DRAM的区别
DRAM是动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory),它是利用场效应管的栅极对其衬底间的分布电容来保存信息,以存储电荷的多少,即电容端电压的高低来表示“1”和“0”。DRAM每个存储单元所需的场效应管较少,常见的有4管,3管和单管型DRAM。因此它的集成度较高,功耗也较低,但缺点是保存在DRAM中的信息__场效应管栅极分布电容里的信息随着电容器的漏电而会逐渐消失,一般信息保存时间为2ms左右。为了保存DRAM中的信息,必须每隔1~2ms对其刷新一次。因此,采用DRAM的计算机必须配置动态刷新电路,防止信息丢失。DRAM一般用作计算机中的主存储器。