部分硬盘驱动器参数简介
鉴于篇幅关系，下面只介绍预补偿写、减小写电流、交错存取系数的意义及设置。
1.预补偿写柱面(Write Precompensation)磁盘片在写入信息之后被磁化成一个个相邻的小的磁化区单元。根据同性相吸，异性相斥的原理，如两相邻磁化单元的极性相异则相互吸引，否则便相排斥。无论是吸引还是排斥，都会使这些磁化单元偏离原来写入时的位置，其情形如图1所示。
图1(a)写入时相邻磁化单位的位置
(b)定入后的实际位置
在记录密度很高的情况下，相邻两个脉冲之间有可能互相干涉，如连续写入两个1时有可能产生重叠，以至读出时，数据无法分离或丢失数据。在盘片的内圈(高磁道)比外圈(低磁道)的密度高，这种情况更容易发生。所谓预补偿写是指在写入时，偏离正常的位置(前移或后移)，使得写入磁化区域完成相互排斥或吸引后的实际位置正好是正确的读出位置。预补偿写柱面是需预补偿写入的第一个柱面，其值由厂商的产品说明中给出。对于用自定义硬盘(47类硬盘)，其预补偿值由用户在CMOS设置中指定。预补偿写是由硬盘控制器中的预补偿写电路完成的，它将对该柱面开始到中心柱面的所有柱面实行预补偿。如果某驱动器有1024个柱面，其预补偿值也为1024，两者相同，说明该驱动器不需要预补偿写。
2.减小写电流柱面(Reduced Writte Current)
用电流面磁介质表面写入信息与用墨水在纸上写字一样，墨水越多，写出的字迹就越粗大。写电流越大，形成的磁化单元面积也越大。在记录密度很高的情况下，同样将造成相领的磁化单元重叠。为了避免出现这种现象，在写入高磁道时，需要减小写电流。减小写电流柱面表示从此柱面的所有柱面在写入时均需减小写电流。减小写电流柱面是在作低级格式化时设置的。
3.交叉因子(Interleave)
完成一个扇区的读写是需要一定时间的。如果磁盘扇区是顺序连续编号的，如要连续读1，2号扇区，则可能在完成1号扇区的读入后，由于磁盘片的高速旋转，这时只能等盘片旋转一周后才能找到2号扇区。这样的数据传递速率太低了。
解决的办法是扇区不要顺序连续编号，如图2所示，1号扇区后的第6个扇区才是2号扇区，2号扇区后的第6个扇区才是3号扇区。相邻两号扇区之间间隔的物理扇区数就是“交叉因子”或称为“间隔系数”。
图2表示的交叉因子为6。
交叉因子是在硬盘低极格式化时，由用户设置的，其设置值应符合厂商提供的说明。在某些低级格式化程序中提供了自动设置交叉因子的功能，用户也可选择该功能由系统自动选择设置。
(何宗琦)
注：本文为本期“技术专题”深入理解硬磁盘技术”的配套文章。