从1到3看内存
硬派学堂
话说公元2001年，电脑硬件界处于一片混战，其中最惨烈的莫过于内存霸主之争了。当时的形势是SDRAM、RAMBUS和DDR三足鼎立。SDRAM是传统霸王，RAMBUS有Intel撑腰。不过笑到最后的，却是性能比SDRAM强、价格比RAMBUS便宜的DDR。时至今日，回过头一看，呵，好家伙，DDR内存在不知不觉间已经发展到第三代了。我们本期就来看看这几代内存有什么不同吧。
从DDR到DDR3，外观在变化
一统江山之后，DDR开始了自己的升级换代之路，我们把DDR、DDR2和DDR3三种内存放在一起，就能发现它们在外观上的差异（左图所示）。首先是在金手指上，防呆缺口的位置有不同。防呆缺口除了能防止我们在将内存插到主板上时，不会插反以外，与主板不支持的内存类型也不能插进去。
在金手指的数量上，DDR内存的“手指”数为92个（双面184个），DDR2内存单面金手指为120个（双面240个），DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个）。
你知道吗：DDR是一种Double Data Rate（双倍数据传输）的SDRAM。它最大的特点就是能让原来一个脉冲读取一次资料的SDRAM可以在一个脉冲的上升缘和下降缘通道都利用上，因此，从等效频率上来看，DDR是SDRAM的两倍。
从DDR到DDR3，“心跳”越来越快
DDR、DDR2和DDR3之间有个重要的特征就是越到后面的产品的等效频率就越高。比如，DDR发展到DDR400时就到顶了，它的等效频率为400MHz，我们目前见得最多的DDR2发展到DDR2 800也停了下来，等效频率为800MHz。而DDR3目前的频率还比较混乱，市场上同时有DDR3 1066、DDR3 1333、DDR3 1600等众多型号。从这点来看，也能说明DDR3内存正处于一个发展阶段。
需要注意的是，我们平时说的内存频率都是“等效频率”，要看DDR内存的实际频率，有个窍门就是将DDR/DDR2/DDR3的等效频率分别除以“2”、“4”、“8”就是它们的实际频率。比如，DDR400的等效频率为400MHz，实际频率就为400MHz÷2=200MHz，以此类推。不过实际频率我们只是了解就行了，毕竟我们看的是最后的“效果”，也就是等效频率。
等效频率越高，内存的带宽也越高（带宽＝位宽×频率÷8）。对于目前主流的Intel处理器来说，要想发挥出最大性能，内存的带宽得等于或者大于CPU的FSB（前端总线），所以对于FSB为800MHz的奔腾E5200来说，在理论上，配一根DDR2 800的内存就能满足CPU在带宽方面的需求。而对于酷睿2 E8400这种前端总线为1333MHz的处理器来说，我们最好用两根DDR2 800内存插在主板相应的插槽上，组成双通道，以满足它的需要。
从DDR到DDR3，内存的颗粒越来越小
或许细心的朋友已经发现了，以前的DDR内存颗粒是比较大的，但现在的DDR3内存颗粒已经变得比较小了，而DDR2内存的颗粒以前比较大，现在比较小。这又是为什么呢？很多地方都以一句“封装工艺不同”来解释，这有道理，但不全面。首先，我们得承认它们的封装确实不同，比如以前DDR采用的是TSOP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封装），看起来颗粒较大。现在的DDR2和DDR3内存颗粒都采用FBGA（底部球型引脚封装），内存颗粒就小巧许多。
但封装工艺的改变是内存颗粒变小的决定性因素吗？当然不是，要让封装变小，首先得让芯片的面积缩小。以前DDR内存颗粒里面的芯片制程是0.175μm，而现在的DDR2/DDR3则是50nm，芯片的面积自然要小很多，封装变小也就很正常了。
从DDR到DDR3，功耗越来越低，延迟越来越高
从功耗的角度来看，DDR发展的趋势也是让电压和功耗都朝越来越低的方向发展。现在DDR3的电压为1.5V，而此前DDR2的电压为1.8V，DDR的则为2.5V。虽然功耗和内存采用的颗粒数量、制程工艺有关系，但越来越低的电压也代表着功耗的降低。加上此前制程和封装工艺的提升，这意味着新的内存在超频性、稳定性等方面都会进一步加强。
此外，处理器让内存做一件事时，内存需要有一个反应时间，DDR3的延迟比DDR2严重，不过我们不能只通过延迟来判断内存的“快慢”，还要综合考虑内存的频率。因此，从绝对的响应时间来看，高频的DDR3还是会比DDR2快一些。