FASL LLC将增加闪存产能

整机外设

2003年12月22日

　　为了满足AMD和富士通客户对于无线市场的需求以及作为长远计划的一部分，FASL LLC将于2004年进一步提高其先进的SPANSION闪存的生产能力。预计到2004年底，110纳米的128MB等量产能将会超过该公司目前最先进的两家闪存生产厂FAB 25和JV3当前产量的80%以上。而110纳米的128MB等量产能计划将超过FASL LLC工厂总产能的60%。

　　FASL LLC集团副总裁及无线事业部总经理AMir Mashkoori说：“高端客户要求我们拥有高产能和领先的闪存技术，以支持当前最先进的无线解决方案的需求。2004年计划增加的采用110纳米技术的产能将支持我们先进的浮门快闪技术，尤其是要支持我们最先进的、采用110纳米工艺的第二代MirrorBit技术。这两种技术将使我们能够为无线客户提供各种市场领先和独具竞争优势的解决方案。”

　　110纳米 MirrorBit技术的应运而生，带来专为无线市场设计的、高性能、功能全面的、1.8V的256MB闪存产品，从而进一步扩大了Spansion 闪存家族的规模。该产品预计将拥有高于80MHz的脉冲模式、高速访问和低功耗等特点。该产品的早期硅器件──Spansion品牌的S29WS256N，目前已完成开发，并计划在2004年上半年推出样品。