美光DDR内存编号的识别
硬件周刊
编者按：不久前我们为大家介绍了现代DDR内存和三星DDR内存编号的识别方法，下面我们再来介绍来自北美的IC大厂Micron(美光)的DDR内存颗粒编号的含义，相信这对你选购美光的DDR内存会有很大帮助。
1.生产厂商 MT：美光科技公司
2.产品类型 46：DDR SDRAM
3.工作电压与工艺 C：5V VCC CMOS
LC：3.3V VDD CMOS
V：2.5V VDD CMOS
4.数据深度与宽度 举例说明一下，16M×8代表芯片的深度为16Mbit，数据宽度为8bit
5.特殊标识 随产品的不同而有所不同，一般有A2和B2两种
6.封装形式 FB：FBGA(60pin，8×16)
FC：FBGA(60pin and 90pin，11×13)
FD：FBGA(80pin，9×16)
FF：FBGA(54pin，8×9)
FG：FBGA(54pin，8×14)
F1：FBGA(62pin，2 row depop)
F2：FBGA(84pin，2 row depop)
TG：TSOP(类型2)
U：UBGA
7.芯片速度 -8：PC1600(2-2-2)DDR200
-75：PC2100(2.5-3-3)DDR266B
-7：PC2199(2-2-2)DDR266A
8.能量等级 L：低能量
S：自刷新
9.工作温度 空白：商业工作温度范围(-0℃~70℃)
IT：工业工作温度范围(-40℃~85℃)
10.芯片版本 ES：工程样品
MS：机械样品