闪存新技术──Mirror Bit
硬件周刊
翻开半导体的历史，大家就可以发现AMD和Intel一直是劲敌。虽然两家公司的主要竞争都是围绕着CPU进行着，而且一直不分输赢的你追我赶。未来，这两家公司竞争的领域将会扩大到闪存市场。
一、Mirror Bit初露端倪（图1）
图1
Mirror Bit技术(新型多值Flash EEPROM技术)主要用于手机、PDA、车载设备、网络设备以及STB(机顶盒)等领域。Mirror Bit技术的最大特点在于：在不牺牲读取、写入和清除时的性能的情况下，可将生产成本降低到以前的Flash EEPROM的1/3左右。该技术通过在存储单元的两个不同的物理位置分别存入1bit数据来实现数据的读取。与不使用多值技术的NOR型Flash EEPROM相比，生产技术提高了两代，并且取得了同等的成本降低效果。芯片的可靠性也不存在问题。经测试，6000多个基于Mirror Bit技术的Flash EEPROM(相当于3500亿bit以上的存储单元)可以正常运行。Mirror Bit存储单元结构提高了闪存产品的存储容量，比标准Flash高一倍，同时保持了器件的耐久性、性能和可靠性。
二、Mirror Bit样品性能（图2）
图2
用Mirror Bit技术生产的Flash EEPROM样品──Am29LV640M。采用0.23微米工艺生产，主要规格如下：电源电压为单一的+3V、非同步访问时间为90ns、页面模式下的访问时间为25ns、写入时间为6μs(具备16字节的写入缓存)。擦除时间为100μs(擦除区段为64KB)。字节结构为×8/×16。数据保持时间为20年(温度低于125℃下)。可擦写次数为10万次。封装有四种，分别是64端子的BGA封装，63端子的Fine Pitch BGA封装，48引脚的TSOP封装和56引脚的TSOP封装。这种64Mirror Bit产品具有较低的成本和较高的可靠性，它与目前标准的3V产品引脚兼容，用户不必改变系统设计就可采用Mirror Bit结构。该存储结构具有多级单元(MLC)方案的低成本结构，但无任何MLC的缺点。采用Mirror Bit结构的存储器件，可在一个单元中储存2bit数据，数据完整性不会受到影响。它将每个标准单元分成两个分离且独立的单位来实现这种功能，在每个独立的单元中，数据被储存在不同位置。
三、Mirror Bit未来发展
虽然Mirror Bit前景光明，但因为受到全球半导体市场的影响，目前的Flash EEPROM市场供给平衡已经崩溃。由于IT泡沫破裂，有线通信设备及网络设备厂商也受到了影响。来自无线通信设备的存储器需求也随之萎缩。但在一年之内市场状况将开始好转。2002年下半年无线通信设备需求将开始复苏。而有线通信设备及网络设备需求预计将在2002年底复苏。
预计采用Mirror Bit架构的闪存芯片产品将在2002年下半年上市销售，相信在不久的将来，我们就可以在市场上看到相关产品了。